UF3C120150K4S – SiC-Kaskode-FET, 1200V, 18,4A, Rdson 0,15R TO-247-4L

1200V SiC-MOSFET-Kaskode 150mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr schnelle Schaltvorgänge unter Verwendung eines TO-247-Gehäuses mit 4 Anschlüssen und die besten Reverse-Recovery-Eigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Speicher erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 150mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- TO-247-4L-Gehäuse für schnelleres Schalten, saubere Gate-SignalformenTypische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung