UF3C120080B7S – SiC-Kaskode-FET, 1200V, 28,8A, Rdson 0,08R, D²Pak-7L

SiC-Kaskode-FET, 1200V, 28,8A, Rdson 0,08R D²Pak-7LBeschreibung:Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen ‚Kaskoden‘-Schaltungskonfiguration, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET zusammen mit einem Si-MOSFET gepackt wird, um ein normalerweise ausgeschaltetes SiC-FET-Bauelement herzustellen. Die Standard-Gate-Treiber-Charakteristik des Bausteins ermöglicht einen echten “Drop-in-Ersatz“ für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine. Der im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Baustein zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aus, wodurch er sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Steuerung erfordern.Merkmale:• Typischer On-Widerstand RDS(on), Typ 80mR• Maximale Betriebstemperatur von 175°C• Hervorragende Rückwärtserholung• Niedrige Gate-Ladung• Niedrige intrinsische Kapazität• ESD-geschützt, HBM-Klasse 2• D²Pak-7L -Gehäuse für schnelleres Schalten und saubere Gate-SignalformenApplikationen:• EV-Ladeschaltung• PV-Wechselrichter• Schaltnetzteile• PFC-Module zur Blindleistungskompensation• Motorische Antriebe• Induktionserwärmung