TSFF 5210 VIS – Infrarot-Diode, GaAlAs, 870 nm, 20°, 5 mm, T-1 3/4

Hochgeschwindigkeits-Infrarot-Emittierende Diode, 870 nm, GaAlAs-Doppel-HeteroBeschreibungenTSFF5210 ist eine infrarote, 870 nm emittierende Diode in GaAlAs-Doppelhetero (DH)-Technologie mit hoher Strahlungsleistung und hoher Geschwindigkeit, die in einem klaren, ungetönten Kunststoffgehäuse gegossen ist.Merkmale• Gehäusetyp: bedrahtet• Gehäuse-Form: T-1¾• Abmessungen (in mm): Ø 5• Beinchen mit Abstandshalter• Spitzen-Wellenlänge: ?p = 870 nm• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsleistung• Hohe Strahlungsintensität• Winkel der halben Intensität: ? = ± 10°• Niedrige Durchlassspannung• Geeignet für Betrieb mit hohem Pulsstrom• Gute spektrale Anpassung mit Si-PhotodetektorenAnwendungen• Infrarot-Videodatenübertragung zwischen Camcorder undFernseher• Freiluft-Datenübertragungssysteme mit hoher ModulationAnforderungen an Frequenzen oder hohe Datenübertragungsraten• Automatische Rauch-Brandmelder