TSAL6200 – Infrarot-Diode, GaAlAs, 940 nm, 34°, 5 mm, T-1 3/4

Hochleistungs-Infrarot-Emittierende Diode, 940 nm, GaAlAs, MQWBeschreibung TSAL6200 ist eine infrarote, 940 nm emittierende Diode in GaAlAs-Multi-Quantum-Well (MQW)-Technologie mit hoher Strahlungsleistung und hoher Geschwindigkeit, die in einem blaugrauen Kunststoffgehäuse gegossen ist.Eigenschaften:• Gehäusetyp: bedrahtet• Gehäuseform: T-1¾• Abmessungen (in mm): Ø 5• Spitzen-Wellenlänge: 940 nm• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsleistung• Hohe Strahlungsintensität• Winkel der halben Intensität: ± 17°• Niedrige Durchlassspannung• Geeignet für Betrieb mit hohem Impulsstrom• Gute spektrale Anpassung mit Si-PhotodetektorenApplikationen:• Infrarot-Fernbedienungseinheiten mit hohem Leistungsbedarf• Freie Luft-Übertragungssysteme• Infrarot-Quelle für optische Zähler und Kartenleser