STPSC1206D – SiC-Schottkydiode, 600V, 12A, TO220AC

Diese Dioden werden aus Siliziumkarbid-Substrat hergestellt. Das Wide-Band-Gap-Material unterstützt die Herstellung einer Schottky-Diodenstruktur mit hoher Spannungsangabe. Solche Dioden weisen keine oder nur geringe Erholungseigenschaften auf. Die Rückgewinnungseigenschaften sind unabhängig von der Temperatur. Der Einsatz dieser Dioden reduziert die Schaltleistungsverluste des zugehörigen MOSFETs erheblich und erhöht damit den Wirkungsgrad der Gesamtanwendung. Diese Dioden übertreffen dann die Leistungsfaktorkorrekturschaltung, die unter harten Schaltbedingungen arbeitet.Merkmale• Keine Rückwärtswiederherstellung• Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur• geeignet für PFC-Korrektur