STP26NM60N – MOSFET N-Kanal, 600 V, 20 A, RDS(on) 0,165 Ohm, TO-220

N-Kanal 600 V, 0,135 O typ., 20 A MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs in D²PAK- und TO-220-GehäusenBeschreibungBei diesen Bauelementen handelt es sich um N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die unter Verwendung der zweiten Generation der MDmesh™ Technologie entwickelt wurden. Dieser revolutionäre Power-MOSFET verbindet eine vertikale Struktur mit dem Streifenlayout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Widerstände und Gate-Ladungen zu erzielen. Er eignet sich daher für die anspruchsvollsten Wandler mit hohem Wirkungsgrad.Merkmale• 100% Avalanche geprüft• Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung• Niedriger Gate-EingangswiderstandApplikationen• Schaltapplikationen