STP11NK50Z – MOSFET N-Ch+Z-Dio, 500 V, 10 A, RDS(on) 0,52 Ohm, TO220

N-Kanal 500 V, 0,48 Ohm , 10 A Zener-geschützter SuperMESHTM Power MOSFETMerkmaleExtrem hohe dv/dt-Fähigkeit100% Avalanche-getestetGate-Ladung minimiertSehr niedrige intrinsische KapazitätenAnwendungSchaltanwendungen