SIHP22N60EF-GE3 – MOSFET, N-Kanal, 650 V, 19 A, RDS(on) 0,158 R, TO-220AB

SiHP22N60EF, EF-Serie Leistungs-MOSFET mit schneller Body-DiodeMerkmale:• Niedrige Kennzahl (FOM) Ron x Qg• Niedrige Eingangskapazität (Ciss)• Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste• Extrem niedrige Gate-Ladung (Qg)• Avalanche-Energie bewertet (UIS)• Materialkategorisierung: für Definitionen der Konformität siehe www.vishay.comAnwendungen:• Server- und Telekommunikationsnetzteile• Schaltnetzteile (SMPS)• Stromversorgungen mit Leistungsfaktorkorrektur (PFC)• Beleuchtung- Hochintensive Entladung (HID)- Leuchtstoffröhren-Beleuchtung• Industriell- Schweißen- Induktive Erwärmung- Motorantriebe- Batterie-Ladegeräte- Erneuerbare Energie- Solar (PV-Wechselrichter)