2SA1209, Silizium-PNP-LeistungstransistorBeschreibung• Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung- : V(BR)CEO= -160V(Min)• Gute Linearität von hFE• Hohe Schaltgeschwindigkeit• Komplement zu Typ 2SC2911• Minimale Lot-to-Lot-Schwankungen für robuste Leistung und zuverlässigen BetriebAnwendung:• Entwickelt für Hochspannungsschaltungen und AF 100W Vortreiberanwendungen.
SA 1209 – HF-Bipolartransistor, PNP, -160 V, -0,14 A, 10W, TO-126
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