NPN mit Widerständen bestückter Transistoren R1 = 2.2 kR2 = 2.2 kFEATURES• Eingebaute Vorwiderstände• Vereinfachtes Schaltungsdesign• Reduzierung der Komponentenanzahl• Reduzierte Kommissionier- und Platzierungskosten.ANWENDUNGEN• Schalt- und -Verstärkerschaltungen• Wechselrichter- und Schnittstellenschaltungen• Schaltkreistreiber.
PDTC 123ET NXP – NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,25W, SOT-23
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