NX2301P NXP – MOSFET, P-Kanal, -20 V, -2 A, RDS(on) 0,1 Ohm , SOT-23

20 V, 2 A, P-Kanal-Trench-MOSFETBeschreibung:P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device) unter Verwendung der Trench-MOSFET-Technologie.Merkmale und Vorteile:• 1,8 V RDSon ausgelegt für Niederspannungs-Gate-Antrieb• Sehr schnelles Schalten• Trench-MOSFET-Technologie• AEC-Q101-qualifiziertAnwendungen:• Relaistreiber• Hochgeschwindigkeits-Lineare Treiber• High-Side-Lastschalter• Schaltkreise