MCP87030Hochgeschwindigkeits-N-Kanal-Leistungs-MOSFETBeschreibung:Der MCP87030 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET im beliebten PDFN-Gehäuse (5 mm x 6 mm). Durch fortschrittliche Gehäuse- und Siliziumverarbeitungstechnologien erreicht der MCP87030 eine niedrige QG für einen gegebenen RDS(on)-Wert, was zu einer niedrigen Figure of Merit (FOM) führt. In Kombination mit dem niedrigen RG ermöglicht das niedrige FOM des MCP87030 eine hocheffiziente Leistungsumwandlung mit reduzierten Schalt- und Leitungsverlusten.Merkmale:• Niedriger Drain-zu-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON))• Niedrige Gesamt-Gate-Ladung (QG) und Gate-to-Drain-Ladung (QGD)• Niedriger Serien-Gate-Widerstand (RG)• Schnelles Schalten• Kurzer Totzeitbetrieb möglich• RoHS-konformAnwendungen:• Point-of-Load DC/DC-Wandler• Hocheffizientes Power Management in Servern, Netzwerken und Automotive-Anwendungen
MCP 87030T-U/MF – High-Speed N-Kanal MOSFET, 25 V, RDS(ON) 0,0033 Ohm, PDFN-8
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