MCP 14E11-E/SN – 3,0 A Dual-MOSFET-Treiber, 1 x inver. / 1 x nicht inver., SO-8

3,0A Dual-Hochgeschwindigkeitsleistungs-MOSFET-Treiber mit EnableProduktbeschreibung:Die Bausteine MCP14E9/10/11 sind Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber, die einen Spitzenstrom von 3,0A liefern können. Die dualen invertierenden, dualen nicht-invertierenden und komplementären Ausgänge werden direkt entweder von TTL oder CMOS (3V bis 18V) gesteuert. Diese Bausteine zeichnen sich außerdem durch einen niedrigen Durchschaltstrom, nahezu angepasste Anstiegs-/Abfallzeiten und Ausbreitungsverzögerungen aus, wodurch sie sich ideal für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eignen. Die Bausteine MCP14E9/10/11 arbeiten mit einer Einzelstromversorgung von 4,5V bis 18V und können problemlos 1800 pF MOSFET-Gate-Kapazität laden und entladen. Sie bieten sowohl im EIN- als auch im AUS-Zustand ausreichend niedrige Impedanzen, um sicherzustellen, dass der beabsichtigte Zustand der MOSFETs auch durch große Transienten nicht beeinträchtigt wird. Die zusätzliche Steuerung der MCP14E9/10/11-Ausgänge wird durch die Verwendung separater Freigabefunktionen ermöglicht. Die Pins ENB_A und ENB_B sind Active-High und werden intern auf VDD hochgezogen. Für den Standardbetrieb können die Pins potentialfrei bleiben. Die Treiberfamilie MCP14E9/10/11 mit zwei 3,0A-Ausgängen wird sowohl in oberflächenmontierbaren Gehäusen als auch in Durchsteckgehäusen mit einem Temperaturbereich von -40oC bis +125oC angeboten. Der niedrige thermische Widerstand des thermisch verbesserten DFN-Gehäuses ermöglicht eine höhere Verlustleistung zur Ansteuerung größerer kapazitiver oder ohmscher Lasten. Diese Bausteine sind unter allen Bedingungen innerhalb ihrer Leistungs- und Spannungswerte hoch einrastungsfest. Sie können nicht beschädigt werden, wenn bis zu 5 V Störspitzen (beider Polaritäten) am Masse-Pin auftreten. Die Bauelemente sind vollständig verriegelungssicher, wenn sie gemäß JEDEC JESD78A getestet werden. Alle Anschlüsse sind vollständig gegen elektrostatische Entladung (ESD) bis zu 4 kV (HBM) oder 400V (MM) geschützt.Merkmale:• Hoher Spitzenausgangsstrom: 3,0A (typisch)• Unabhängige Freigabefunktion für jeden Fahrer Ausgabe• Großer Betriebsbereich der Eingangs-Versorgungsspannung: – 4,5V bis 18V• Niedriger Durchschuss-/Querleitungsstrom in Endstufe• Antriebsfähigkeit bei hoher kapazitiver Last:- tR: 14 ns mit 1800 pF Last (typisch)- tF: 17 ns mit 1800 pF Belastung (typisch)• Kurze Verzögerungszeiten:- tD1: 45 ns (typisch)- tD2: 45 ns (typisch)• Niedriger Versorgungsstrom:- Mit Logic ‚1‘ Eingang/Freigabe – 1 mA (typisch)- Mit Logik ‚0‘ Eingang/Freigabe – 300 µA (typisch)• Latch-up Geschützt: Bestanden JEDEC JESD78A• Logikeingang widersteht negativem Schwingen, bis zu 5V• Platzsparende Pakete: – 8-poliger SOIC, PDIP, 6×5 DFNAnwendungen:• Schaltnetzteile• Puls-Transformator-Antrieb• Leitungstreiber• Motor und Magnetantrieb