IXTP80N10T – MOSFET N-Kanal, 100 V, 80 A, RDS(on) 0,014 Ohm, TO220AB

IXTP80N10T, TrenchTM Leistungs-MOSFETMerkmale:• Ultra-niedriger Einschaltwiderstand• Avalanche-Bewertung• Niedrige Gehäuse-Induktivität – einfach zu betreiben und zu schützen• 175°C Betriebstemperatur• Schnelle intrinsische DiodeVorteile• Einfach zu montieren• Platzersparnis• Hohe LeistungsdichteAnwendungen• Automobil- Motorantriebe- 42-V-Strombus- ABS-Systeme• DC/DC-Wandler und Offline-USV• Primärschalter für 24V- und 48V-Systeme• Verteilte Leistungsarchitekturen und VRMs• Elektronische Ventiltriebsysteme• Hochstrom-Schaltanwendungen• Hochspannungs-Synchronverstärker