IRLD 120 – MOSFET, N-Kanal, 100 V, 1,3 A, RDS(on) 0,27 Ohm, HVMDIP

Leistungs-MOSFET Beschreibung Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Designer die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, geringem Widerstand und Kosteneffizienz. Das 4-polige DIP-Gehäuse ist ein kostengünstiges, maschineneinsteckbares Gehäuse, das in mehreren Kombinationen auf Standard-0,1-Zoll-Stiftmitten gestapelt werden kann. Der doppelte Abfluss dient als thermische Verbindung zur Montagefläche für Verlustleistungen bis zu 1 W. Funktionen • Dynamische dV / dt-Bewertung• Wiederholte Lawinenbewertung• Zum automatischen Einsetzen• Ende stapelbar• Gate Drive auf Logikebene• RDS (ein) Spezifiziert bei VGS = 4 V und 5 V.• 175 ° C Betriebstemperatur• Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95 / EG