IRLD 024 – MOSFET, N-Kanal, 60 V, 2,5 A, RDS(on) 0,1 Ohm, HVMDIP

IRLD024, Leistungs-MOSFETBeschreibung:Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das 4-polige DIP-Gehäuse ist ein kostengünstiges, maschinenfestes Gehäuseform, die in mehreren Kombinationen auf Standard Standard 0,1“ Pin-Zentren. Der Dual-Drain-Server dient als thermische Verbindung zur Montagefläche für eine Verlustleistung von bis zu 1 W.Merkmale:• Dynamische dV/dt-Bewertung• Für automatisches Einsetzen• Anreihbar• Gate-Ansteuerung auf Logikebene• RDS(on) spezifiziert bei VGS = 4 V und 5 V• 175 °C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC