IRFZ 34 – MOSFET, N-CH, 55 V, 29 A, RDS(on) 0,04 Ohm, TO-220AB

IRFZ34NHEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Power-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird universell für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra-niedriger On-Widerstand• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Einfaches Parallelisieren