IRFR5305PBF – MOSFET P-Kanal, -55 V, -31 A, Rdson 0,065 Ohm, TO252AA

HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET® Power MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-Pak ist für die Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren ausgelegt. Die Version mit gerader Zuleitung (IRFU-Serie) ist für Durchsteckmontageanwendungen vorgesehen. Bei typischen Anwendungen zur Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt möglich.Merkmale• Ultra-niedriger On-Widerstand• Oberflächenmontage (IRFR5305)• Gerade Anschlüsse (IRFU5305)• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Schnelles Umschalten• Vollständig Avalanchetauglich• Bleifrei