HEXFETPower-MOSFETMerkmale• Niedrige Gate-to-Drain-Ladung zur Reduzierung von Schaltverlusten• Vollständig charakterisierte Kapazität einschließlich eines effektiven COSS zur Vereinfachung des Designs• Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -stromAnwendung• Hochfrequenz-DC/DC-Wandler• Bleifrei
IRFR3410PBF – MOSFET N-Ch 100V 31A 0,039R TO252AA
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