IRFR1018EPBF – MOSFET N-Kanal, 60 V, 56 A, DS(on) 0,0084 Ohm, TO252AA

IRFR1018EPbF, HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit• Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA• Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-DiodeAnwendungen• Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS• Unterbrechungsfreie Stromversorgung• Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil• Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen