IRFPE50PBF – MOSFET N-Kanal, 800 V, 7,8 A, RDS(on) 1,2 Ohm, TO247AC

IRFPE50, Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-247AC-Gehäuse wird bevorzugt für kommerziell-industrielle Anwendungen verwendet, bei denen höhere Leistungen den Einsatz von TO-220AB-Bauelementen nicht zulassen. Das TO-247AC-Gehäuse ähnelt dem früheren TO-218-Gehäuse, ist ihm aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen. Außerdem bietet es eine größere Kriechstrecke zwischen den Stiften, um die Anforderungen der meisten Sicherheitsspezifikationen zu erfüllen.Merkmale:• Dynamische dV/dt-Bewertung• Repetitive Avalanche rated• Isolierte zentrale Montagebohrung• Schnelles Schalten• Einfache Parallelisierung• Einfache Antriebsanforderungen• Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC