IRFL 014N – MOSFET, N-Kanal, 55V, 1,9A, 0,16R, SOT-223

HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungDie HEXFET®-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET®-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das SOT-223-Gehäuse ist für die Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren ausgelegt. Sein einzigartiges Gehäusedesign ermöglicht eine einfache automatische Bestückung wie bei anderen SOT- oder SOIC-Gehäusen, hat aber den zusätzlichen Vorteil einer verbesserten thermischen Leistung durch eine vergrößerte Lasche zur Wärmeableitung. In einer typischen Oberflächenmontage-Anwendung ist eine Verlustleistung von 1,0 W möglich.Merkmale• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra-niedriger On-Widerstand• Dynamische dv/dt Bewertung• Schnelles Umschalten• Vollständig lawinentauglich• Bleifrei