IRFHS8342 – MOSFET, N-Kanal, 30 V, 8,8 A, RDS(on) 0,016 Ohm, QFN-6

Die StrongIRFET™-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Bauelemente sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio eignet sich für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.Besondere Merkmale• niedriger RDSon (= 16 mOhm) • geringer Wärmewiderstand zur Leiterplatte (= 13°C/W) • niedriges Profil (= 1,0 mm) • Industriestandard Pinout