IRFD 9120 – MOSFET, P-Kanal, -100 V, -1 A, RDS(on) 0,60R, HVMDIP-4

BESCHREIBUNGDie Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Konstrukteur die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, geringem On-Widerstand und Kosteneffizienz.Das 4-Pin-DIP-Gehäuse ist ein kostengünstiges maschineneinsteckbares Gehäuse, das in mehreren Kombinationen auf Standard 0,1“ Stiftmitten gestapelt werden kann. Die doppelte Drainage dient als thermische Verbindung zur Montagefläche für Verlustleistungen bis zu 1 W.FEATURES• Dynamische dV / dt-Bewertung• Wiederholte Avalanche Rated• Zum automatischen Positionierung• Stapelbar beenden• 175 ° C Betriebstemperatur• Schnelles Umschalten