IRFD 120 – MOSFET N-Kanal, 100 V, 1,3 A, Rds(on) 0,27 Ohm, HVMDIP-4

BESCHREIBUNGDie Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Konstrukteur die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, geringem On-Widerstand und Kosteneffizienz.Das 4-Pin-DIP-Gehäuse ist ein kostengünstiges maschineneinsteckbares Gehäuse, das in mehreren Kombinationen auf Standard 0,1“ Stiftmitten gestapelt werden kann. Die doppelte Drainage dient als thermische Verbindung zur Montagefläche für Verlustleistungen bis zu 1 W.FEATURES• Dynamische dV / dt-Bewertung• Wiederholte Avalanche Rated• Zum automatischen Positionierung• Stapelbar beenden• 175 ° C Betriebstemperatur• Schnelles Umschalten• Einfache Parallelisierung• Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95 / EG