IRFBG20PBF – MOSFET N-Kanal, 1000 V, 1,4 A, RDS(on) 11 Ohm, TO220AB

IRFBG20, Leistungs-MOSFETBeschreibungLeistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauelementedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale• Dynamische dV/dt-Bewertung• Repetitive Avalanche-Bewertung• Schnelles Schalten• Leichte Parallelisierung• Einfache Antriebsanforderungen• Materialkategorisierung: Definitionen der Konformität siehe www.vishay.com/doc?99912