IRFB17N50LPBF – MOSFET N-Kanal, 500 V, 16 A, RDS(on) 0,28 Ohm, TO220AB

IRFB17N50LPBF , Leistungs-MOSFETMerkmale• Niedrige Gate-Ladung Qg resultiert in einfachen Antriebsanforderungen• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit• Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-Spannung und -Strom• Niedriges trr und sanfte Diodenerholung• Materialkategorisierung: Definitionen zur Konformität finden Sie unter www.vishay.com/doc?99999Anwendungen:• Schaltnetzteil (SMPS)• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil• ZVS und Hochfrequenzschaltungen• PWM-Wechselrichter