IRFB 4710 – MOSFET, N-Kanal, 100 V, 75 A, RDS(on) 0,014 Ohm, TO-220AB

IRFB4710PbF, HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile• Niedrige Gate-to-Drain-Ladung zur Reduzierung der Schaltverluste- Vollständig charakterisierte Kapazität einschließlich effektivem Coss zur Vereinfachung des Designs• Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und StromAnwendungen• Hochfrequenz DC/DC-Wandler• Motorsteuerung• Nicht unterbrechbare Stromversorgungen• Bleifrei