IRFB 3607 – MOSFET, N-Kanal, 75 V, 80 A, RDS(on) 0,00734 Ohm, TO-220AB

IRFB3607PbF , HEXFET Leistungs-MOSFETVorteil:• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit• Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA• Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-DiodeAnwendungen:• Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS• Unterbrechungsfreie Stromversorgung• Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil• Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen