IRFB 3307Z – MOSFET N-Kanal, 75 V, 120 A, RDS(on) 0,0046 Ohm, TO-220AB

HEXFET-Leistungs-MOSFETAnwendungenHocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPSUnterbrechungsfreie StromversorgungHochgeschwindigkeits-SchaltnetzteilHart geschaltete und HochfrequenzschaltungenVorteileVerbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-RobustheitVollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOAErhöhte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode