IRF7201PBF – MOSFET N-Kanal 30 V, 7,3 A, Rdson 0,03 Ohm, SO8

HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leadframe modifiziert, um die thermischen Eigenschaften und die Multi-Die-Fähigkeit zu verbessern, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Bausteine in einer Anwendung mit drastisch reduziertem Platinenplatz eingesetzt werden. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. In einer typischen Anwendung zur Leiterplattenmontage ist eine Verlustleistung von mehr als 0,8 W möglich.Merkmale:• Generation V-Technologie• Ultra-niedriger On-Widerstand• N-Kanal-MOSFET• Oberflächenmontage• Verfügbar als Tape & Reel• Dynamische dv/dt Bewertung• Schnelles Umschalten• Bleifrei