IRF5210SPBF – MOSFET, P-Ch, -100 V, -38 A, Rds(on) 0,06 Ohm, D2Pak

IRF5210S , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungDieses Design zeichnet sich durch eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 150°C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und ein verbessertes Repetitive-Avalanche-Rating aus. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem extrem effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von anderen Anwendungen.Merkmale• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra niedriger Ein-Widerstand• 150°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt• Einige Parameter sind anders als beim IRF5210S/L• P-Kanal• Bleifrei