IRF1404SPBF – MOSFET N-Kanal, 40 V, 162 A, RDS(on) 0,004 Ohm, D2Pak

IRF1404S / IRF1404L , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der siebten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Vollständige Avalanche-Bewertung