IRF 9Z34N – MOSFET, P-Kanal, -55 V, -19 A, RDS(on) 0,1 Ohm, TO-220AB

IRF9Z34N , HEXFETPower MOSFETBeschreibungHEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie.Anwendungen• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• P-Kanal• Vollständig Avalanche-geeignet