Leistungs-MOSFETBeschreibungLeistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauteildesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziellen Industrieanwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 W bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Industrie bei.Merkmale• Dynamische dV/dt Bewertung• Wiederholte Lawinen-Bewertung• P-Kanal• 175 °C Betriebstemperatur• Schnelles Umschalten• Leichte Parallelisierung• Einfache Antriebsanforderungen• Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC
IRF 9540 VIS – MOSFET, P-Kanal, -100V, -19A, RDS(on) 0,2 Ohm, TO-220
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