Leistungs-MOSFETBeschreibungLeistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauteildesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziellen Industrieanwendungen bei Verlustleistungen bis etwa 50 W bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Industrie bei.Merkmale• Dynamische dV/dt Bewertung• Wiederholte Avalanche-Bewertung• P-Kanal• 175 °C Betriebstemperatur• Schnelles Umschalten• Leichte Parallelisierung• Einfache Antriebsanforderungen• Blei (Pb)-frei verfügbar
IRF 9530 – MOSFET, P-Kanal, -100V, -12A, RDS(on) 0,3 Ohm, TO-220AB
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