IRF 820 – MOSFET, N-CH, 500 V, 2,5 A, RDS(on) 3,0 Ohm, TO-220AB

IRF820, Leistungs-MOSFETBESCHREIBUNGLeistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz.Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für kommerziell-industrielle Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die geringen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.EIGENSCHAFTEN• Dynamische dV/dt-Bewertung• Repetitive Avalanche-Bewertung• Schnelles Schalten• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EC