IRF 7341 – Dual-MOSFET, N-CH, 55 V, 4,7 A, RDS(on) 0.05 Ohm, SO-8

IRF7341PbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungHEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch ein kundenspezifisches Leadframe modifiziert, um die thermischen Eigenschaften zu verbessern und die Fähigkeit zur Mehrfachbestückung zu erhöhen, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Bauelemente in einer Anwendung mit drastisch reduziertem Platinenplatz eingesetzt werden. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt.Eine Verlustleistung von mehr als 0,8 W ist in einer typischen PCB-Montage-Anwendung möglich.Merkmale• Generation V Technologie• Ultra niedriger Ein-Widerstand• Zweifach-N-Kanal-Mosfet• Oberflächenmontage• Verfügbar in Tape & Reel• Dynamischer dv/dt-Wert• Schnell schaltend• Bleifrei