Leistungs-MOSFETBeschreibung:Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse ist universell für alle kommerziell-industrielle Anwendungen bei Verlustleistungen Verlustleistung bis ca. 50 W. Der niedrige thermische Widerstand und die niedrigen Kosten des TO-220AB-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale:• Dynamischer dV/dt-Wert• Repetitive Avalanche-Bewertung• Schnell schaltend• Einfaches Parallelisieren• Einfache Antriebsanforderungen• Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EC
IRF 730 – MOSFET, N-CH, 400 V, 5,5 A, RDS(on) 1 Ohm, TO-220AB
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