IRF 640N – MOSFET, N-Kanal, 200 V, 18 A, RDS(on) 0,15 Ohm, TO-220AB

HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Industrie bei. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungspaket, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungskapazität und den geringst möglichen On-Widerstand in allen existierenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak eignet sich aufgrund seines niedrigen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann bis zu 2,0 W in einer typischen Oberflächenmontage-Anwendung. Die Durchsteckversion (IRF640NL) ist für Flachbildschirme erhältlich. Anwendung.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Dynamische dv/dt Bewertung• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Umschalten• Vollständig Avalanche-tauglich• Leichte Parallelisierung• Einfache Antriebsanforderungen• Bleifrei