IRF 640 VIS – MOSFET, N-Kanal, 200 V, 18 A, RDS(on) 0,18 Ohm, TO-220AB

Leistungs-MOSFETBeschreibung:Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die geringen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Merkmale:• Dynamische dV/dt-Bewertung• Repetitive Avalanche-Bewertung• Schnelles Schalten• Einfache Parallelisierung• Einfache Antriebsanforderungen• Materialkategorisierung: für Definitionen der Konformität siehe www.vishay.com