IRF 610 VIS – MOSFET, N-Kanal, 200 V, 3,3 A, Rds(on) 1,5 Ohm, TO-220

Die Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Bauteildesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung bis etwa 50 W bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Industrie bei.Besondere Merkmalefür schnelle Schaltzeiten entwickeltgute Parallelisierbarkeiteinfache Treiberschaltung