IRF 540Z IR – MOSFET, N-Kanal, 100 V, 36 A, RDS(on) 0,021 Ohm, TO-220AB

IRF540ZPbF, HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile:Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Betriebstemperatur von 175°C an der Sperrschicht Betriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem machen dieses Design zu einem extrem effizienten und und zuverlässiges Bauteil für eine Vielzahl von Anwendungen Anwendungen.Merkmale:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt• Bleifrei