IRF 510 – MOSFET N-Kanal, 100 V, 5,6 A, Rds(on) 0,54 Ohm, TO-220AB

BESCHREIBUNGDie Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Konstrukteur die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, geringem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird universell für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.FEATURES- Dynamische dV/dt Bewertung- Repetitive avalanche rated- 175 °C Betriebstemperatur- Schnelles Schalten- Einfache Parallelisierung- Einfache Antriebsanforderungen