IRF 4905 – MOSFET, P-Kanal, -55 V, -74 A, RDS(on) 0.02 Ohm, TO-220AB

IRF4905PbF , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung bis etwa 50 Watt bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO- 220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Industrie bei.Eigenschaften:- Fortschrittliche Prozesstechnologie- Extrem niedriger On-Widerstand- Dynamische dv/dt Bewertung- 175°C Betriebstemperatur- Schnelles Schalten- P-Kanal- Vollständig Avalanche tauglich- Bleifrei