IRF 3808 – MOSFET, N-Kanal, 75 V, 140 A, RDS(on) 0,007 Ohm, TO-220AB

IRF3808PbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Dieser Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses HEXFET-Leistungs-MOSFETs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate. Diese Kombination macht das Design zu einer äußerst effizienten und zuverlässigen Wahl für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.Vorteile:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Extrem niedriger Einschaltwiderstand• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt• BleifreiTypische Anwendungen• Industrieller Motorantrieb