IRF 3710Z – MOSFET, N-Kanal, 100 V, 59 A, Rds(on) 0,018 Ohm , TO-220AB

HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungDieser HEXFET® Power MOSFET wurde speziell für Anwendungen in der Automobilindustrie entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Rate bei sich wiederholenden Schaltvorgängen. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in Automobilanwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.Merkmale• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra-niedriger On-Widerstand• Dynamische dv/dt Bewertung• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Umschalten• Wiederholungs-Avalanche bis Tjmax erlaubt• Bleifrei