IRF 3205 – MOSFET, N-Kanal, 55 V, 110 A, RDS(on) 0,008 Ohm, TO-220AB

Die Leistungs-MOSFETs der IR-MOSFET-Familie nutzen bewährte Siliziumprozesse und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Bauelementen für verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Merkmalefortschrittliche Prozesstechnologieextrem niedriger Einschaltwiderstanddynamischer dv/dt-Wert175°C Betriebstemperaturschnelles Schaltenvollständige Avalanche-Bewertung