IRF 2804 – MOSFET, N-Kanal, 40 V, 75 A, RDS(on) 0,002 Ohm, TO-220AB

IRF2804PbF, HEXFET Leistungs-MOSFETBeschreibungDieser speziell für Automotive-Anwendungen entwickelte HEXFET® Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem extrem effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in Automotive-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Applikationen.Merkmale• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Wiederholte Avalanche bis Tjmax erlaubt• Bleifrei