IMZA65R027M1H – SiC-MOSFET N-Kanal, 650 V, 59 A, Rds(on) 0,027 Ohm, TO-247-4

MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power DeviceDer 650 V CoolSiC™ basiert auf der massiven Siliziumkarbid-Technologie, die Infineon in mehr als 20 Jahren entwickelt hat. Der 650V CoolSiC™ MOSFET nutzt die Eigenschaften des SiC-Materials mit breiter Bandlücke und bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Er eignet sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen und ermöglicht eine vereinfachte und kosteneffiziente Bereitstellung von Systemen mit höchster Effizienz.Merkmale• Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen• Kommutierungsrobuste Fast-Body-Diode mit niedrigem Qrr• Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit• Beste thermische Leitfähigkeit und Verhalten• Geringere RDS(on) und Pulsstromabhängigkeit von der Temperatur• Erhöhte Avalanche-Fähigkeit• Kompatibel mit Standardtreibern (empfohlene Treiberspannung: 18 V)• Kelvin-Source bietet bis zu 4-mal geringere SchaltverlusteVorteile• Einzigartige Kombination aus hoher Leistung, hoher Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit• Einfache Verwendung und Integration• Geeignet für Topologien mit kontinuierlicher harter Kommutierung• Höhere Robustheit und Systemzuverlässigkeit• Verbesserung des Wirkungsgrads• Geringere Systemgröße, die zu einer höheren Leistungsdichte führtPotenzielle Anwendungen• SMPS• UPS (unterbrechungsfreie Stromversorgungen)• Solar-PV-Wechselrichter• EV-Ladeinfrastruktur• Energiespeicherung und Batteriebildung• Klasse-D-VerstärkerProduktvalidierungVollständig qualifiziert nach JEDEC für industrielle Anwendungen